我司提供以下晶体: 锑化铟(InSb) 锑化镓(GaSb) 锑化锗(GeSb) 碲化镉(CdTe) 碲锌镉 (CdZnTe) 碲化铅(PbTe) 碲化锌(ZnTe) 碲化铜 (CuTe) 碲化铝 (AlTe) 碲化铟(In2Te3) 碲化锗 (GeTe) 碲化镓(GaTe) 碲化铋(Bi2Te3) 硒化铅(PbSe) 硒化铟(In2Se3) 硒化铋 (Bi2Se3) 硒化锌(ZnSe) 硫化铝(Al2S3) 硫化铅(PbS) 硫化镉 (CdS) 硫化锗(GeS2) 硫化铋(Bi2S3) 硫化锑(Sb2S3) 硒化锡(SnSe) 硒化锗(GeSe) 掺铈钇铝石榴石晶体基片(Ce3+:YAG) 钨酸铅(PbWO4) 锗酸铋(BGO) 硅酸铋(Bi12SiO20) 钨酸镉(CdWO4) Nd:GGG晶体基片 掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG) 钛宝石(Ti:Al2O3)晶体基片 红宝石(Cr:Al2O3) 锗(Ge)晶体基片 窗口材料晶体 三氧化二铝(Al2O3)晶体基片 氟化镁(MgF2)晶体基片 氟化钡(BaF2)晶体基片 氟化钙(CaF2)晶体基片 氟化锂(LiF)晶体基片 金红石(TiO2)晶体基片 碳酸钙(CaCO3)晶体基片 氧化硅(SiO2)晶体基片 铌酸锂(LiNbO3)晶体基片 铌钽酸钾(Kta 1-XNbxO3) 钽酸锂(LiTaO3)晶体基片 钒酸钇(YVO4)晶体基片 铝酸钇(YAlO3)晶体基片 氧化碲(TeO2)晶体基片 钇铝石榴石(YAG)晶体基片 硅锗(Si-Ge)晶体基片 硅(Si)晶体基片 磷化镓(CaP)晶体基片 磷化铟(InP)晶体基片 砷化铟(InAs)晶体基片 砷化镓(GaAs)晶体基片 砷化铟(gaSb)晶体基片 PMN-PT晶体基片 钆镓石榴石(Gd3GaO12)晶体基片 铝酸镧(LaAlO3)晶体基片 氧化镁(MgO)晶体基片 钛酸锶(SrTiO3)晶体基片 掺铌钽酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片 钛酸钡(BaTiO3)晶体基片 钪酸钆(GdScO3)晶体基片 钪酸镝(DyScO3)晶体基片 钛酸锶(SrTiO3)晶体基片 铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片 氧化镁(MgO)晶体基片 镓酸钕(NdGaO3)晶体基片 铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片 钽酸钾(KTO3)晶体基片 铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片 氧化锆(YSZ)晶体基片 蓝宝石基片 砷化镓(GaAs)晶体基片 砷化镓(GaAs)晶棒 磷化铟(InP)晶体基片 锗基片 掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)至今仍是综合特性最优良的固体激光材料。本公司生产的“无核心”、“无散射”、“无位错”Nd:YAG激光棒曾荣获全国质量评比第一名。 应用范围: 1.064μm脉冲、连续激光器。 结晶方向: <111>±5° 、 <100>±5° Nd离子浓度: 0.1~2.0at% 光学质量: 干涉≤0.25条/inch;消光比≥30dB 激光特性: 长脉冲点效率3.2%(灯泵、20J输入),长脉 冲斜效率 4.1% 加工精度: 端面平面度λ/10(λ=589.3nm);端面平行度 ≤10″;端面与轴线垂直度≤3′;光洁度≥40~20 镀膜: 中心波长1.064μm多层介质(硬)膜,反射膜反射率10~99.85%,增透膜剩余反射率 R≤0.2% 尺寸规格: 具体外形(激光棒、激光板条、 激光圆片状)尺寸和掺杂浓度可根据客户要求定制
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