我司提供以下晶体：

锑化铟（InSb）

锑化镓（GaSb）

锑化锗（GeSb）

碲化镉（CdTe）

碲锌镉 (CdZnTe)

碲化铅（PbTe）

碲化锌（ZnTe）

碲化铜 (CuTe)

碲化铝 (AlTe)

碲化铟（In2Te3）

碲化锗 (GeTe)

碲化镓（GaTe）

碲化铋(Bi2Te3)

硒化铅（PbSe）

硒化铟（In2Se3）

硒化铋 (Bi2Se3)

硒化锌（ZnSe）

硫化铝（Al2S3）

硫化铅（PbS）

硫化镉 (CdS)

硫化锗（GeS2）

硫化铋（Bi2S3）

硫化锑（Sb2S3）

硒化锡（SnSe）

硒化锗（GeSe）

掺铈钇铝石榴石晶体基片(Ce3+:YAG)

钨酸铅(PbWO4)

锗酸铋(BGO)

硅酸铋(Bi12SiO20)

钨酸镉（CdWO4)

Nd:GGG晶体基片

掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG)

钛宝石（Ti:Al2O3)晶体基片

红宝石（Cr:Al2O3)

锗（Ge)晶体基片

窗口材料晶体

三氧化二铝（Al2O3）晶体基片

氟化镁（MgF2)晶体基片

氟化钡（BaF2)晶体基片

氟化钙（CaF2)晶体基片

氟化锂（LiF)晶体基片

金红石（TiO2)晶体基片

碳酸钙（CaCO3)晶体基片

氧化硅（SiO2)晶体基片

铌酸锂（LiNbO3）晶体基片

铌钽酸钾（Kta 1-XNbxO3）

钽酸锂（LiTaO3)晶体基片

钒酸钇（YVO4)晶体基片

铝酸钇（YAlO3）晶体基片

氧化碲（TeO2)晶体基片

钇铝石榴石(YAG)晶体基片

硅锗（Si-Ge)晶体基片

硅（Si)晶体基片

磷化镓（CaP)晶体基片

磷化铟（InP）晶体基片

砷化铟（InAs)晶体基片

砷化镓（GaAs)晶体基片

砷化铟（gaSb)晶体基片

PMN-PT晶体基片

钆镓石榴石（Gd3GaO12)晶体基片

铝酸镧（LaAlO3)晶体基片

氧化镁（MgO）晶体基片

钛酸锶（SrTiO3）晶体基片

掺铌钽酸锶（Nb:SrTiO3）晶体基片

钛酸钡（BaTiO3)晶体基片

钪酸钆（GdScO3）晶体基片

钪酸镝（DyScO3）晶体基片

钛酸锶（SrTiO3）晶体基片

铝酸钕钙（NdCaAlO4）晶体基片

氧化镁（MgO）晶体基片

镓酸钕（NdGaO3）晶体基片

铝酸锶镧（LaSrAlO4）晶体基片

钽酸钾（KTO3)晶体基片

铝酸锶钽镧（LSAT)晶体基片

氧化锆（YSZ)晶体基片

蓝宝石基片

砷化镓（GaAs)晶体基片

砷化镓（GaAs)晶棒

磷化铟（InP）晶体基片

锗基片

掺钕钇铝石榴石（Nd：YAG）至今仍是综合特性最优良的固体激光材料。本公司生产的“无核心”、“无散射”、“无位错”Nd：YAG激光棒曾荣获全国质量评比第一名。

　应用范围： 1.064μm脉冲、连续激光器。

　结晶方向： <111>±5° 、　<100>±5°

　Nd离子浓度： 0.1～2.0at%

　光学质量： 干涉≤0.25条/inch；消光比≥30dB

　激光特性： 长脉冲点效率3.2%(灯泵、20J输入),长脉 冲斜效率 4.1%

　加工精度： 端面平面度λ/10（λ=589.3nm）；端面平行度 ≤10″；端面与轴线垂直度≤3′；光洁度≥40～20

　镀膜： 中心波长1.064μm多层介质（硬）膜,反射膜反射率10～99.85%，增透膜剩余反射率 R≤0.2%

　尺寸规格： 具体外形(激光棒、激光板条、 激光圆片状)尺寸和掺杂浓度可根据客户要求定制